- 서버용 4F² D램 연내 양산 선언… 삼성·SK 주력 시장 위협
[뉴스에디션] 중국 최대 D램 생산기업인 창신메모리(CXMT)가 국내 반도체 업계가 2028년 상용화를 목표로 연구 중인 차세대 셀 구조 ‘4F²(포에프스퀘어) D램’을 연내 양산하겠다고 선언하며 글로벌 메모리 시장에 충격을 안겼다.
12일 외신 및 반도체 업계 보도에 따르면, 차오캉위 CXMT 사장은 상하이에서 열린 ‘제4회 집적회로·칩렛 콘퍼런스’에 참석해 4F² 셀 구조 기반의 서버용 DDR5 RDIMM을 올해 말 선보일 것이라고 공식 발표했다. 그간 범용 레거시 제품에 집중하던 중국이 고부가가치 데이터센터 서버용 D램 시장까지 직접 겨냥하고 나서면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 업계의 긴장감이 급격히 고조되고 있다.
2년 앞당긴 기술 선전포고… 셀 면적 줄인 ‘4F²’ 승부수
외신 보도에 따르면 CXMT는 자체 개발한 수직 서라운드 게이트(VSG) 기술과 하이브리드 본딩을 결합해, 회로 면적을 기존 6F² 대비 줄인 4F² 구조의 서버용 메모리를 구현했다고 설명했다.
4F²는 미세공정의 물리적 한계를 극복하기 위한 차세대 메모리 설계 기술이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 2028년경 상용화를 목표로 로드맵을 추진해왔다. 이번 발표대로 연내 출시가 이뤄진다면, 중국이 글로벌 선두권 기업들보다 상용화 시점을 2년 이상 앞당기는 셈이다.
범용 제품 넘어 고부가가치 서버용 D램 진출
이번 발표가 국내 업계에 큰 위협으로 다가오는 이유는 타깃이 ‘서버용 메모리’라는 점이다. 데이터센터에 탑재되는 서버용 D램은 신뢰성과 고전력 효율이 핵심으로, 그동안 한국 기업들이 시장의 대다수를 점유하며 고수익을 거둬온 영역이다.
CXMT 측은 2016년 설립 초기부터 4F² 기술을 연구해 300건 이상의 관련 특허를 확보했다고 주장하며, 신규 팹 완공을 통해 생산 능력을 대폭 끌어올리겠다는 계획도 함께 공개했다.
수율 과장론 vs 실질적 기술 추격… 한국 반도체 과제는
반도체 업계와 전문가들 사이에서는 실제 양산 가능성과 수율 확보에 대한 신중론도 제기된다. 미국의 강력한 대중 수출 규제로 인해 최첨단 EUV(극자외선) 노광장비 도입이 불가능한 중국이 안정적인 양산 수율과 경제성을 확보할 수 있을지는 검증이 더 필요하다는 지적이다. 또한 장기간 신뢰성 검증을 거쳐야 하는 데이터센터 고객사를 실제로 얼마나 확보할지도 미지수다.
그러나 중국 정부의 막대한 재정 지원과 기술 인력 흡수를 바탕으로 기술 격차가 빠르게 축소되고 있는 것은 분명한 사실이다. 한국 반도체 산업이 기술 주도권을 유지하기 위해서는 범용 D램의 주도권 사수를 넘어, 3D D램 및 HBM 등 초격차 차세대 영역으로의 신속한 전환과 기술 유출 방지책 마련이 시급하다는 목소리가 힘을 얻고 있다.
